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सक्रिय फ्रंट एंड हार्मोनिक फ़िल्टर

Active harmonic filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). हार्मोनिक्स के लिए गतिशील रूप से क्षतिपूर्ति करने के अलावा, एपीएफ उत्पाद प्रतिक्रियाशील शक्ति के लिए भी क्षतिपूर्ति कर सकते हैं, वोल्टेज में उतार-चढ़ाव और झिलमिलाहट जैसे बिजली की गुणवत्ता के मुद्दों को संबोधित कर सकते हैं। एपीएफ उत्पाद पूरी तरह से स्वचालित नियंत्रण के लिए अत्याधुनिक नियंत्रण तकनीक का उपयोग करते हैं, जिससे वे हार्मोनिक उन्मूलन के लिए पसंदीदा विकल्प बन जाते हैं।

उत्पाद विवरण

 

SiC एक्टिव हार्मोनिक फ़िल्टर एक अगली पीढ़ी का, पूरी तरह से डिजिटल हार्मोनिक एलिमिनेशन डिवाइस है जिसे हमारे द्वारा घर में विकसित किया गया है। पारंपरिक तकनीक की तुलना में, यह तेज प्रतिक्रिया समय, कॉम्पैक्ट आकार, बढ़ी हुई कार्यक्षमता, आसान स्थापना और रखरखाव और सीधी कमीशनिंग जैसे विशिष्ट लाभ प्रदान करता है। यह बिजली की गुणवत्ता की समस्याओं को आसानी से प्रभावी ढंग से संबोधित कर सकता है। एपीएफ गतिशील रूप से हार्मोनिक्स के लिए क्षतिपूर्ति करता है, कम पावर फैक्टर और पावर गुणवत्ता में तीन चरण असंतुलन जैसी समस्याओं को प्रभावी ढंग से संबोधित करता है।

 

मुख्य पावर डिवाइस अगली पीढ़ी के सेमीकंडक्टर घटक SiC मॉसफेट को अपनाता है, जो 97% तक की हार्मोनिक फ़िल्टरिंग दर के साथ 100kHz से अधिक स्विचिंग आवृत्ति, उच्च शक्ति घनत्व, कम हानि और उच्च दक्षता प्रदान करता है। यह हार्मोनिक्स, प्रतिक्रियाशील शक्ति और तीन चरण असंतुलन सहित कई क्षतिपूर्ति मोड का समर्थन करता है। पीसीबीए पूरी तरह से सील है, जो धूल, संघनन और नमक स्प्रे से सुरक्षा सुनिश्चित करता है। डिवाइस लचीले इंस्टॉलेशन विकल्प प्रदान करता है (कैबिनेट पर या दीवार पर माउंट किया जा सकता है), और रखरखाव सीधा है।

 

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उत्पाद की विशेषताएँ

 

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डेटा शीट

 

विद्युत पैरामीटर
तार लगाने की विधि तीन{{0}चरण तीन{{1}तार, तीन{2}}चरण चार-तार
ऑपरेटिंग वोल्टेज 380V/220V±20%
परिचालन आवृत्ति 50/60 हर्ट्ज़, ±10%
उत्पाद विशिष्टताएँ 30A, 50A, 75A, 100A, 150A
वर्तमान ट्रांसफार्मर विशिष्टताएँ 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1
शोर <65dB
तकनीकी सुविधाओं
उपकरणों को स्विच करना SiC मॉसफेट
आवृत्ति बदलना >100kHz
गर्मी अपव्यय के तरीके बुद्धिमान वायु शीतलन
ताप अपव्यय नियंत्रण अनुकूली पंखे की गति समायोजन
सुरक्षा कार्य आउटपुट ओवरकरंट सुरक्षा, आउटपुट करंट लिमिटिंग सुरक्षा, अधिक तापमान सुरक्षा, डीसी बस ओवरवोल्टेज सुरक्षा, एसी इनपुट अंडरवोल्टेज सुरक्षा, एसी इनपुट ओवरवोल्टेज सुरक्षा, नियंत्रण प्रणाली दोष सुरक्षा, मुख्य सर्किट घटक क्षति और वियोग सुरक्षा
मुआवज़ा प्रदर्शन
हार्मोनिक फ़िल्टरिंग दर >97%
समग्र दक्षता 99% से अधिक या उसके बराबर
सक्रिय बिजली हानि <1%
हार्मोनिक फ़िल्टरिंग रेंज 2 से 50 तक के हार्मोनिक्स को व्यक्तिगत रूप से नियंत्रित और कॉन्फ़िगर किया जा सकता है।
कुल प्रतिक्रिया समय <5ms
अनुनाद दमन सक्रिय निषेध
प्रदर्शन इंटरफ़ेस
प्रदर्शन स्क्रीन 7-फ़ुट फ़ुल-कलर टचस्क्रीन
भाषा चीनी, अंग्रेजी और अनुकूलन योग्य भाषाएँ।
बैटरी प्रदर्शन विरूपण दर, पावर फैक्टर, पावर, वोल्टेज और करंट सहित डेटा प्रदर्शित करता है।
संचार इंटरफ़ेस और प्रोटोकॉल प्रकार आरएस485, टीसीपी/आईपी, मोडबस प्रोटोकॉल, और 4जी लंबी दूरी की डेटा ट्रांसमिशन।
पर्यावरणीय स्थितियाँ
परिचालन तापमान -25 डिग्री ~+50 डिग्री
सापेक्षिक आर्द्रता <95%, no condensation
ऊंचाई <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters)
अन्य
सुरक्षा स्तर IP20 रेटिंग, अनुरोध पर अन्य रेटिंग उपलब्ध हैं।
इंस्टॉलेशन तरीका रैक{{0}माउंट, दीवार-माउंट, एकीकृत कैबिनेट कॉन्फ़िगरेशन।

 

Q&A

 

SiC मॉसफेट का कार्य क्या है?

SiC MOSFETs की उच्च वोल्टेज और धाराओं को सहन करने की क्षमता छोटे और हल्के सिस्टम को सक्षम बनाती है। यह छोटी कमी, उनकी उच्च दक्षता के साथ, उन्हें उन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है जिनमें स्थान और ऊर्जा का उपयोग महत्वपूर्ण है।

SiC मॉस्फ़ेट है या आईजीबीटी?

SiC MOSFET सिलिकॉन कार्बाइड धातु {{0}ऑक्साइड {{1} सेमीकंडक्टर फ़ील्ड {{2} प्रभाव ट्रांजिस्टर का संक्षिप्त रूप है। Si IGBTs करंट नियंत्रित डिवाइस हैं जो ट्रांजिस्टर के गेट टर्मिनल पर लगाए गए करंट द्वारा टॉगल किए जाते हैं, जबकि MOSFETs वोल्टेज {{5} हैं जो गेट टर्मिनल पर लगाए गए वोल्टेज द्वारा नियंत्रित होते हैं।

 

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